Q3旺季需要及上游严控出货，NAND Flash缺货缺定了！
NAND Flash第三季缺货缺定了！由于上游芯片原厂持续调拨产能出产3D NAND，但良率提升不如预期，不仅导致3D NAND新产能无法大量开出，也压抑2D NAND的现实产出。
第三季需要旺季到来，加上市场传出上游原厂将自7月起严控出货，缺货疑虑再度推升NAND Flash价值走扬，第二季以来NAND Flash晶圆售价涨幅已达15～20%。
今年上半年上游NAND Flash原厂均全力投入3D NAND的造程及出产线转换，但因投产初期只有三星的良率好，其它业者良率拉升情况不如预期，整体3D NAND的出货量相对有限。
同时，由于上游原厂重要是移转2D NAND产线去出产3D NAND，此一作为也造成2D NAND的市场供给量持续降低。
以三星为例，今年除了将2D NAND主流造程由16纳米切换到14纳米，还将韩国华城Fab 16的16纳米2D NAND产能转换为20纳米48层3D NAND，今年第二季正是造程及产能转换期。
至于第二大厂东芝及第三大厂闪迪堡垒，上半年同样处于48层3D NAND的转换期，为了维持不变获利，低于成本的NAND Flash根基上不再出货。
整体来看，三星、东芝等上游原厂在上半年因造程及产能切换原因，3D NAND产出成长幅杜仔限，但2D NAND供给量已降低。
由于下半年进入传统旺季，不仅亏损量大的固态硬盘（SSD）出货量持续创新高，苹果将iPhone 7容量拉高一倍，最高容量将达256GB，并包下三星及东芝的无数产能，也让市场供给量愈趋吃紧。
事实上，三星及东芝已在5月通知客户涨价。三星14/16纳米NAND Flash晶圆价值已靠近1.2～1.3美元，与3月相较调涨20%左右。东芝15纳米NAND Flash晶圆5月报价已逾1.2美元，较3月涨幅达16%。
由于上游原厂在7月仍无法足额供货，并持续对客户调涨价值，蕴含模组厂及渠路商预估，价值将持续走高，第三季晶圆价值与3月相较涨幅将逾25%以上。
法人暗示，NAND Flash晶圆涨价效应持续扩散，不仅芯片价值续涨，影象卡、U盘、eMMC/eMCP等价值也看涨，6月中之后涨幅还将扩大。